磁性存储器及其制造方法与写入方法

摘要

本发明公开了一种磁性存储器及其制造方法与写入方法。磁性存储器包括一第一磁性隧穿结构及一第二磁性隧穿结构。第二磁性隧穿结构与第一磁性隧穿结构电性连接，且第二磁性隧穿结构的体积小于第一磁性隧穿结构的体积。根据本发明，每一磁性存储器具有二位的数据存储量，不仅减少了磁性存储器所需要占用的体积，更增加了磁性存储器的写入速度。

主权项

一种磁性存储器的写入方法，包括：(I)提供一第一磁性隧穿结构及一第二磁性隧穿结构，其中该第一磁性隧穿结构包括一第一上磁性固定层、一第一磁性自由层、一第一阻障层、一第一间隔层及一第一下磁性固定层，该第一阻障层用以避免该第一上磁性固定层及该第一磁性自由层的磁性互相影响，该第一阻障层设置于该第一磁性自由层的上侧，该第一间隔层设置于该第一下磁性固定层及该第一磁性自由层之间，该第二磁性隧穿结构包括一第二上磁性固定层、一第二磁性自由层、一第二阻障层、一第二间隔层及一第二下磁性固定层，该第二阻障层用以避免该第二上磁性固定层及该第二磁性自由层的磁性互相影响，该第二阻障层设置于该第二磁性自由层的上侧，且该第二磁性自由层的宽度小于该第一磁性自由层的宽度，该第二间隔层设置于该第二下磁性固定层及该第二磁性自由层之间，该第一下磁性固定层与该第二下磁性固定层固定于一第一磁性方向，该第一上磁性固定层与第二上磁性固定层固定于一第二磁性方向，该第一磁性方向与该第二磁性方向相反，其中，该第一磁性自由层与该第一下磁性固定层的磁性方向相反，该第二磁性自由层与该第二下磁性固定层的磁性方向相反，且此时该磁性存储器为一第一数据类型“00”；(II)提供一第一电流通过该第一磁性隧穿结构及该第二磁性隧穿结构，使该磁性存储器成为一第二数据类型“10”或一第三数据类型“11”，该第一电流具有一第一电流方向，其中该第二数据类型“10”为该第一磁性自由层与该第一下磁性固定层的磁性方向相反且该第二磁性自由层与该第二下磁性固定层的磁性方向相同；该第三数据类型“11”为当该第一磁性自由层与该第一下磁性固定层的磁性方向相同时，该第二磁性自由层与该第二下磁性固定层的磁性方向相同；以及(III)提供一第二电流通过该第一磁性隧穿结构及该第二磁性隧穿结构，该第二电流的电流方向相反于该第一电流方向，使该第三数据类型“11”变为一第四数据类型“01”，该第四数据类型“01”不同于该第二数据类型“10”与该第三数据类型“11”。