一种降低大功率LED热阻的封装结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种降低大功率LED热阻的封装结构及其制造方法。包括密封层、负电极、荧光片、金丝、LED芯片、金属互连层、正电极、通孔、基板、底部正电极、散热面、底部负电极。在芯片与基板互连过程中，芯片封装于基板中心位置，基板厚度0.7mm，有利于减小扩散热阻；回流焊接时固晶压力为2N~3N，大大减少互连层中空洞的产生，从而减小界面热阻；固晶材料选用AuSn，AuSn材料热导率高且产生空洞少；这样封装方法有利于降低界面热阻及扩散热阻，提高LED模块散热性能，从而改善LED的性能。

主权项

一种降低大功率LED热阻的封装结构，包括密封层（1）、负电极（2）、荧光片（3）、金丝（4）、LED芯片（5）、金属互连层（6）、正电极（7）、通孔（8）、基板（9）、底部正电极（10）、散热面（11）、底部负电极（12）；其特征在于：所述LED芯片（5）对准基板（9）的中心，通过回流技术将LED芯片（5）与正电极（7）连接在一起，互连材料使用金锡焊料，回流结束后，金锡焊料形成金属互连层（6），所述LED芯片（5）通过金丝（4）与负电极（2）连接，所述荧光片（3）通过密封层（1）与基板（9）结合在一起，所述底部正电极（10）、散热面（11）、底部负电极（12）布置在基板（9）的背面。