发明名称 |
镁基复合材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种镁基复合材料,包括镁基金属,其中,该镁基复合材料进一步包括至少一纳米级增强体薄膜设置于上述镁基金属中。本发明还涉及一种镁基复合材料的制备方法,其包括以下步骤:提供至少二镁基板和至少一纳米级增强体薄膜;将该纳米级增强体薄膜设置于二镁基板之间,形成一预制体;以及热轧该预制体,形成镁基复合材料。采用本发明方法制备的镁基复合材料具有更高的强度和韧性,并且工艺简单、易操作,可广泛地应用于镁基复合材料方面。 |
申请公布号 |
CN101391500B |
申请公布日期 |
2014.08.20 |
申请号 |
CN200710077343.8 |
申请日期 |
2007.09.21 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
陈锦修;陈正士;许光良;杜青春;李文珍;姜开利 |
分类号 |
B32B15/04(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;B32B37/06(2006.01)I;B32B37/10(2006.01)I |
主分类号 |
B32B15/04(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种镁基复合材料的制备方法,其包括以下步骤:提供至少二镁基板和至少一纳米级增强体薄膜,所述纳米级增强体薄膜为一连续的结构,所述镁基板包括镁基金属;将该纳米级增强体薄膜设置于二镁基板之间,形成一预制体;以及热轧该预制体,所述镁基金属渗入所述纳米级增强体薄膜的间隙中,形成镁基复合材料,其特征在于,所述的预制体的形成进一步包括以下步骤:分别在至少二镁基板一表面形成至少一过渡层,所述过渡层为镍金属层或含镍的合金层;将纳米级增强体薄膜设置于至少二镁基板的过渡层之间,形成一预制体。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |