发明名称 |
一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法,其中,包括下列步骤:提供一包括NMOS晶体管、PMOS晶体管和控制管的半导体衬底;在所述PMOS晶体管和所述控制管的表面覆盖一层光刻胶,并且对所述NMOS晶体管进行刻蚀,去除掉所述源极和漏极的硅,在所述NMOS晶体管的源极和漏极形成凹槽;进行外延生长碳化硅工艺,在所述凹槽内淀积碳化硅(SiC)。本发明在不增加现有工艺步骤的同时,降低了控制管器件的载流子迁移率,从而增大了控制管的等效电阻,进而在读取过程中,降低了节点的电位,从而提高了随机存储器的读出冗余度。 |
申请公布号 |
CN102683288B |
申请公布日期 |
2014.08.20 |
申请号 |
CN201210135994.9 |
申请日期 |
2012.05.04 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
俞柳江 |
分类号 |
H01L21/8244(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8244(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法,其特征在于,包括下列步骤:提供一包括NMOS晶体管、PMOS晶体管和控制管的半导体衬底;在所述PMOS晶体管和所述控制管的表面覆盖一层光刻胶,并且对所述NMOS晶体管进行光刻刻蚀,去除掉源极和漏极的硅,在所述NMOS晶体管的源极和漏极形成凹槽;进行外延生长碳化硅工艺,在所述凹槽内淀积碳化硅(SiC);其中,在对所述NMOS晶体管进行光刻工艺步骤中,通过逻辑运算,将光刻胶覆盖在控制管区域和PMOS区域。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |