LED外延层生长方法及LED外延层

摘要

本发明提供了一种LED外延层生长方法及LED外延层，生长P型GaN层步骤为：A、在温度为900-950℃，反应腔压力在200-600mbar的反应室内，通入NH₃、Cp₂Mg，关闭TMGa，做10-20秒掺Mg预处理；B、通入TMGa，关掉Cp₂Mg，生长20-40秒GaN层，GaN厚度为5-10nm；重复步骤A、B10-20次，直至P型GaN层的总厚度为80-200nm。本申请使用delta掺杂生长p型GaN层，改善p型GaN层的结晶质量降低位错密度，提高P-GaN空穴浓度及其迁移率，为LED器件发光有源区提供更多的空穴-电子对，提高复合几率，提升亮度，从而改善LED器件的光电性能。

主权项

一种LED外延层生长方法，其特征在于，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长有源层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，所述生长P型GaN层步骤为：A、在温度为900‑950℃，反应腔压力在200‑600mbar的反应室内，通入30000‑45000sccm的NH₃、600‑1800sccm的Cp₂Mg，关闭TMGa，做10‑20秒掺Mg预处理；B、通入20‑60sccm的TMGa，关掉Cp₂Mg，生长20‑40秒GaN，GaN厚度为5‑10nm，重复步骤A、B10‑20次，直至P型GaN层的总厚度为80‑200nm；Mg的掺杂浓度1E+19‑1E+20atom/cm³。