发明名称 |
一种用于锂离子二次电池的负极薄膜及其制备方法与应用 |
摘要 |
一种用于锂离子二次电池的负极薄膜及其制备方法与应用,属于电化学领域。针对Si负极在嵌脱锂过程中体积变化的缺陷,及电极循环性能问题,所述负极薄膜可表示为Si-M,其中M包含Ti、Cu、Ni、Sn中的至少一种,Si含量在50-95wt%之间。其制备方法为:溅射用靶材使用单质Si靶和M靶、Si-M复合靶、Si-M合金靶或Si-M镶嵌靶;在溅射气氛下,对靶材进行溅射,在基底上形成一层Si-M薄膜负极材料。本发明所得到的负极薄膜材料不含粘结剂,膜层致密,与基体结合良好,比表面积/厚度较大,且M元素的加入可在一定程度缓解Si材料在充放电过程中的体积变化所引起的容量衰减,并提供了电子传输通道,从而可以提高Si基负极材料的循环稳定性。 |
申请公布号 |
CN103996821A |
申请公布日期 |
2014.08.20 |
申请号 |
CN201410263594.5 |
申请日期 |
2014.06.14 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
高云智;李琴;张瀚;王龙;左朋建 |
分类号 |
H01M4/134(2010.01)I;H01M4/1395(2010.01)I;H01M4/58(2010.01)I |
主分类号 |
H01M4/134(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种用于锂离子二次电池的负极薄膜,其特征在于所述负极薄膜表示为Si‑M,其中M包含Ti、Cu、Ni、Sn中的至少一种,Si含量在50‑95 wt%之间。 |
地址 |
150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |