相移掩模、非对称图案的形成方法、衍射光栅的制造方法及半导体装置的制造方法

摘要

提供一种可提高产品的精度以及缩短制作时间的、利用了相移掩模的非对称图案的形成技术、以及衍射光栅、半导体装置的制造技术。在利用了相移掩模(30)(周期性地配置遮光部和透过部(没有相移的第1透过部、有相移的第2透过部))的衍射光栅的制造方法中，使从照明光源(10)射出的光透过相移掩模(30)，使透过该相移掩模(30)而产生的0次光和+1次光在Si晶片(50)的表面产生干涉，使该Si晶片(50)的表面的光致抗蚀剂(60)曝光，在Si晶片(50)上形成具有闪耀状的截面形状的衍射光栅。

主权项

一种相移掩模，其特征在于，具有遮住光的遮光部、和使光透过的透过部，所述透过部由没有相移的第1透过部、和有相移的第2透过部构成，周期性地配置所述遮光部、所述第1透过部、和所述第2透过部的组，在将所述组的周期性的配置的间距设为P，将所述第1透过部在间距方向上的宽度设为x，将所述第2透过部在间距方向上的宽度设为x，将所述第1透过部与所述第2透过部的相位差设为θ的情况下，x／P×360°+θ=180°的关系式成立。