| 发明名称 | 用于单次曝光-自对准的双重、三重以及四重图案化的方法 | ||
| 摘要 | 一种方法，包括：在衬底的表面上形成图案，所述图案包括具有至少一个侧壁的分离的结构和与其间的材料层相补充的分离的结构中的一种分离的结构，所述至少一个侧壁限定相对于所述表面的倾斜角，所述材料层包括被改型为不同区域的体积，所述不同区域由相对于所述表面的至少一个倾斜角分隔开；以及使用所述图案来在所述衬底上限定电路特征，所述特征的间距小于所述图案的间距。 | ||
| 申请公布号 | CN103999191A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201180075504.4 | 申请日期 | 2011.12.15 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | F·M·奇诺尔;C·H·华莱士 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;陈松涛 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在衬底的表面上形成图案，所述图案包括具有至少一个侧壁的分离的结构和与其间的材料层相补充的分离的结构中的一种分离的结构，所述至少一个侧壁限定相对于所述表面的倾斜角，所述材料层包括被改型为不同区域的体积，所述不同区域由相对于所述表面的至少一个倾斜角分隔开；以及使用所述图案来在所述衬底上限定电路特征，所述特征的间距小于所述图案的间距。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||