非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性存储元件的制造方法及非易失性存储装置的制造方法

摘要

非易失性存储元件（20）具备：第1电极（105）；第2电极（107）；电阻变化层（106），介于第1电极（105）与第2电极（107）之间，将与第1电极（105）连接的第1电阻变化层（1061）和与第2电极（107）连接的第2电阻变化层（1062）层叠而构成；以及侧壁保护层（108），具有氧阻挡性，将上述电阻变化层（106）的侧面覆盖；第1电阻变化层（1061）由第1金属氧化物（106a）和形成在第1金属氧化物的周围且氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第3金属氧化物（106c）构成，第2电阻变化层（1062）由氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第2金属氧化物（106b）构成。

主权项

一种非易失性存储元件，其特征在于，具备：第1电极；第2电极；电阻变化层，介于上述第1电极与上述第2电极之间，将与上述第1电极连接的第1电阻变化层和与上述第2电极连接的第2电阻变化层层叠而构成，基于施加在上述第1电极与上述第2电极之间的电信号而电阻值可逆地变化；以及侧壁保护层，具有氧阻挡性，将未与上述第1电极及上述第2电极中的任一个连接的上述电阻变化层的侧面覆盖；上述第1电阻变化层由第1金属氧化物和第3金属氧化物构成，该第3金属氧化物形成在该第1金属氧化物的周围并且氧不足度比该第1金属氧化物的氧不足度小，上述第2电阻变化层由氧不足度比上述第1金属氧化物层的氧不足度小的第2金属氧化物构成。