制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：通过对半导体元件的第一电极的表面进行处理来形成包括晶体的第一层；通过对该半导体元件安装在其上的安装元件的第二电极的表面进行处理来形成包括晶体的第二层；在第一温度下对在第一层上或第一层中存在的第一氧化膜以及在第二层上或第二层中存在的第二氧化膜进行还原，第一温度低于在第一电极中包含的第一金属以固态进行扩散的第二温度且低于在第二电极中包含的第二金属以固态发生扩散的第三温度；以及通过固相扩散将第一层和第二层彼此接合。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：通过对半导体元件的第一电极的表面进行处理来形成包括晶体的第一层；通过对其上安装所述半导体元件的安装构件的第二电极的表面进行处理来形成包括晶体的第二层；在第一温度下对在所述第一层上或所述第一层中存在的第一氧化膜以及在所述第二层上或所述第二层中存在的第二氧化膜进行还原，所述第一温度低于在所述第一电极中包含的第一金属以固态进行扩散的第二温度且低于在所述第二电极中包含的第二金属以固态进行扩散的第三温度；以及通过固相扩散将所述第一层和所述第二层彼此接合，其中使用甲酸作为还原剂时，所述第一温度是100℃至150℃；使用氢自由基作为还原剂时，所述第一温度是25℃至150℃；使用一氧化碳作为还原剂时，所述第一温度是50℃至150℃。