| 发明名称 | 通过部分熔化升高的源极-漏极的晶体管的脉冲激光退火工艺 | ||
| 摘要 | 一种包括部分熔化的提高半导体源极/漏极的非平面晶体管，所述提高半导体源极/漏极被设置在半导体鳍状物的相对端上，其中，栅极堆叠设置于所述相对端之间。所述的升高的半导体源极/漏极包括处于熔化深度以上的超活化掺杂剂区以及处于熔化深度以下的活化掺杂剂区。超活化掺杂剂区具有比活化掺杂剂区更高的活化掺杂剂浓度和/或具有在整个熔化区域内恒定的活化掺杂剂浓度。在衬底上形成鳍状物，并且在所述鳍状物的设置在沟道区的相对侧的区域上沉积半导体材料或半导体材料堆叠，以形成升高的源极/漏极。执行脉冲激光退火，以仅熔化所沉积的半导体材料的处于熔化深度以上的部分。 | ||
| 申请公布号 | CN103999199A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201180075630.X | 申请日期 | 2011.12.19 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·詹森;T·加尼;M·刘;H·肯内尔;R·詹姆斯 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;陈松涛 |
| 主权项 | 一种形成非平面晶体管的方法，所述方法包括：在衬底上形成包括沟道区的半导体鳍状物；在所述鳍状物的设置于所述沟道区的相对侧的区域上沉积半导体材料，以形成升高的源极/漏极；以及执行脉冲激光退火，以仅熔化所沉积的半导体材料的在熔化深度以上的部分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||