发明名称 一种倒装发光二极管结构及其制作方法
摘要 本发明涉及一种倒装发光二极管及其制作方法,包括:一基板;一外延层,位于所述基板之上,所述外延层包括:第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层;至少一个开口结构,位于所述外延层的边缘位置之上,且延伸至基板表面,使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露,从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构;一绝缘层,位于所述开口结构之上,作为金属电极隔离层。
申请公布号 CN103996773A 申请公布日期 2014.08.20
申请号 CN201410248717.8 申请日期 2014.06.06
申请人 厦门市三安光电科技有限公司 发明人 何安和;林素慧;郑建森;彭康伟;林潇雄;徐宸科
分类号 H01L33/24(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/24(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种倒装发光二极管结构,包括:一基板;一外延层,位于所述基板之上,所述外延层包括:第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层;至少一个开口结构,位于所述外延层的边缘位置之上,且延伸至基板表面,使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露,从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构;一绝缘层,位于所述开口结构之上,作为金属电极隔离层。
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