| 发明名称 | SOI NMOS ESD器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种SOI NMOS ESD器件及其制备方法，通过在体硅区中位于沟道底部、且靠近并接触漏极区域侧边、远离源极区域和体硅区表面的位置形成ESD受主掺杂离子注入区，从而使得ESD受主掺杂离子注入区能够应用于SOI器件，此位置的ESD受主掺杂离子注入区可以引导ESD触发电流流经体硅区域，因体硅区域的深度范围比漏极区域更大，从而提高了静电释放效果，减小了漏极区域的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN103996679A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201410260799.8 | 申请日期 | 2014.06.12 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 颜丙勇 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种SOI NMOS ESD器件，包括：一SOI衬底、在所述SOI衬底上具有体硅区、栅极、源极、和漏极，其特征在于，在所述体硅区内的沟道底部、且靠近并接触所述漏极区域的侧边的位置设置有ESD受主掺杂离子注入区；所述ESD受主掺杂离子注入区远离所述源极区域和所述体硅区表面。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||