一种制备中空太阳能吸收材料CuInS₂的方法

摘要

本发明涉及一种制备中空太阳能吸收材料CuInS₂的方法，该方法铟源、硫源等为前驱物，以具有特定形貌——氧化亚铜为自牺牲模板和铜源，通过选择合适的溶剂和表面活性剂、控制一定的反应温度和反应时间即可制备出CuInS₂中空纳米材料。与现有技术相比，本发明操作步骤简单，反应迅速，成本低廉，能满足工业化要求，制备的CuInS₂中空纳米材料可在光催化及太阳能光伏电池上有很好的应用。

主权项

一种制备中空太阳能吸收材料CuInS₂的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： （1）将铟盐、硫源和助剂加入到聚四氟乙烯反应釜中，然后加入溶剂，配成铟盐浓度为0.01‑0.5M的溶液，搅拌或超声溶解； （2）称取与铟盐相等摩尔量的氧化亚铜模板加入到上述溶液中，搅拌或超声均匀，制成反应前驱液； （3）将反应釜密封，控制温度140‑200℃，反应时间1‑24小时；反应结束后，反应釜自然冷却到室温，将产物过滤或离心分离，用无水乙醇洗涤数次，真空抽干，即获得CuInS₂中空材料； 步骤（1）中所述的铟盐、硫源和助剂的摩尔比为1：（4‑16）：（0.5‑3），所述的铟盐为氯化铟、硝酸铟或硫酸铟，所述的硫源为硫脲、二硫化碳或硫代乙酰胺，所述的助剂为聚乙烯吡咯烷酮或市售的P123，所述的溶剂为乙醇、丙醇或丁醇。