发明名称 |
一种单晶硅材料的力学测试方法 |
摘要 |
本发明涉及一种单晶硅材料的力学测试方法,首先,对单晶硅片进行处理,包括表面处理、掺杂以及退火处理等方式中一种或几种,然后将其切割,最后利用MSP测试系统测试样品常温下的力学性能。本发明的测试方法不同于现有的测试方法如强度测试(三点抗弯)等都要求较大尺寸的样品,而在实际应用中多采用小尺寸单晶硅材料,因此目前的测试方法不能准确的评价其在实际应用中的力学性能。本发明是一种适用于脆性小样品力学性能测试的方法,具有样品制备简单、测试简便的优点,且具有样品固定方便、稳定等突出优势,因此可以在室温下评价小尺寸单晶硅材料的力学性能。 |
申请公布号 |
CN103994920A |
申请公布日期 |
2014.08.20 |
申请号 |
CN201410235591.0 |
申请日期 |
2014.05.29 |
申请人 |
东华大学 |
发明人 |
王连军;刘霞;顾士甲;江莞 |
分类号 |
G01N3/00(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I |
主分类号 |
G01N3/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海泰能知识产权代理事务所 31233 |
代理人 |
黄志达 |
主权项 |
一种单晶硅材料的力学测试方法,包括下述步骤:1)对单晶硅片进行处理,包括表面处理、掺杂以及退火处理中的一种或几种;2)将处理好的单晶硅片切割,利用MSP测试系统对其进行MSP强度和断裂载荷的力学性能测试。 |
地址 |
201620 上海市松江区松江新城人民北路2999号 |