| 发明名称 | 半导体器件的制造方法、半导体器件的制造装置及记录介质 | ||
| 摘要 | 具有以下工序：将形成有含硅膜的衬底收容于处理室内的工序；从气体供给部向处理室内供给气体而使处理室内成为大气压以上的压力的工序；和从处理液供给部向衬底供给处理液而将含硅膜氧化的氧化工序。 | ||
| 申请公布号 | CN103999198A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201280062552.4 | 申请日期 | 2012.11.01 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 芦原洋司;天野富大;桧山真;佐久间春信;和田优一;立野秀人 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其具有以下工序：将形成有含硅膜的衬底收容于处理室内的工序；从气体供给部向所述处理室内供给气体而使所述处理室内成为大气压以上的压力的工序；和从处理液供给部向所述衬底供给处理液而将所述含硅膜氧化的氧化工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||