半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及涉及半导体装置及其制造方法。在使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，将包含铟、镓、锌、氧和氮的缓冲层设置在氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：栅电极；覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；中间夹着所述栅极绝缘膜重叠于所述栅电极的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的第一电极及第二电极，该第一电极的端部及该第二电极的端部重叠于所述栅电极；第一缓冲层，该第一缓冲层接触所述氧化物半导体层和所述第一电极并夹在所述氧化物半导体层与所述第一电极之间；以及第二缓冲层，该第二缓冲层接触所述氧化物半导体层和所述第二电极并夹在所述氧化物半导体层与所述第二电极之间，其中，所述第一缓冲层及所述第二缓冲层包含铟、镓、锌、氧和氮，其中，在从所述第一缓冲层到所述第二缓冲层的方向上所述栅电极的宽度比所述氧化物半导体层的宽度更宽，以及其中，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层每一个的一个端部和所述第一缓冲层和所述第二缓冲层每一个的另一个端部与所述栅电极重叠。