发明名称 |
N型晶体硅双面电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了N型晶体硅双面电池,属于太阳能电池技术领域,包括N型硅衬底、硼掺杂层、电池的正极、氧化铝钝化层、氮化硅减反射层、离子注入磷掺杂层、氮化硅钝化及减反射层、电池的负极;本发明还公开了该电池的制备方法,具体包括1)化学清洗;2)加入硼源;3)下表面注入磷源并退火;4)上表面制备氧化铝钝化层和第一氮化硅减反射层;5)下表面制备第二氮化硅减反射层;6)制备电池的正极和电池的负极;7)烧结。本发明的N型晶体硅双面电池,使得电池稳定性能提高,降低了对短波的吸收,提高了蓝光响应,提高电池的短路电流密度,电池效率得到提升;制备该电池的方法,简化了双面电池的制程,具有很好的实用性。 |
申请公布号 |
CN103996721A |
申请公布日期 |
2014.08.20 |
申请号 |
CN201410209448.4 |
申请日期 |
2014.05.16 |
申请人 |
奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
发明人 |
高艳涛;张斌;邢国强 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0328(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
刘燕娇 |
主权项 |
N型晶体硅双面电池,其特征在于:包括N型硅衬底(1)、硼掺杂层(2)、电池的正极(3)、氧化铝钝化层(4)、氮化硅减反射层(5)、离子注入磷掺杂层(6)、氮化硅钝化及减反射层(7)、电池的负极(8),在N型硅衬底(1)的上下表面分别设置了电池的正极(3)和电池的负极(8),在电池的正极(3)的下方设置硼掺杂层(2);在N型硅衬底(1)的上表面设有氧化铝钝化层(4),在氧化铝钝化层(4)的表面设有第一氮化硅减反射层(5);在N型硅衬底(1)的下表面设有离子注入磷掺杂层(6),在离子注入磷掺杂层(6)的表面设有第二氮化硅减反射层(7)。 |
地址 |
215434 江苏省苏州市太仓市太仓港港口开发区平江路88号 |