一种芯片级原子钟气室

摘要

本实用新型公开了一种芯片级原子钟气室。具体包括由衬底层、埋层以及器件层构成的SOI硅片层、玻璃层以及支撑层，所述SOI硅片的衬底层上设有作为腔体的凹槽，凹槽内放有碱金属或者用于制备碱金属的原料并充有惰性气体；所述SOI硅片的衬底层与玻璃层通过静电键合相连；所述SOI硅片的器件层一侧设有一透明的支撑层。本实用新型公开的气室结构简单合理，所以制得的气室体积小，使用简单，并且制备成本低，产品成品率高，适于工业化生产。

主权项

一种芯片级原子钟气室，包括由衬底层、埋层以及器件层构成的SOI硅片复合层、玻璃层以及支撑层，其特征在于：所述SOI硅片的衬底层上设有作为腔体的凹槽，凹槽内放有碱金属或者用于制备碱金属的原料并充有惰性气体；所述SOI硅片的衬底层与玻璃层通过静电键合相连；所述SOI硅片的器件层一侧设有一透明的支撑层。