发明名称 一种基于梯形结构的晶体光学电场传感器
摘要 本发明涉及一种基于梯形结构的晶体光学电场传感器,属于电场测量技术领域。该电场传感器包括晶体、起偏器和检偏器,所述的晶体的一个端部为梯形,另一端部为长方形,所述的起偏器粘接在晶体的长方形端部的激光入射处,所述的检偏器粘接在晶体的长方形端部的激光出射处,所述的晶体的梯形端部的顶角a与电场传感器的光学偏置点<img file="DDA00002358792000011.GIF" wi="42" he="34" />满足一定关系。本发明的传感器,利用电光晶体端面的三次全反射产生光学偏置点,选取特定的梯形顶角,使光学偏置点<img file="DDA00002358792000012.GIF" wi="146" he="46" />去掉了1/4波片,简化了传感器结构,提高了传感器的温度稳定性。本发明的光学电场传感器不仅可以测量电场的幅值,还可以测量电场的频率、相位等信息,是一种时域电场传感器。
申请公布号 CN102914702B 申请公布日期 2014.08.20
申请号 CN201210437184.9 申请日期 2012.11.05
申请人 清华大学 发明人 牛犇;王博;曾嵘;庄池杰;俞俊杰
分类号 G01R29/12(2006.01)I 主分类号 G01R29/12(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 罗文群
主权项 一种基于梯形结构的晶体光学电场传感器,其特征在于该电场传感器包括晶体、起偏器和检偏器,所述的晶体的一个端部为梯形,另一端部为长方形,所述的起偏器粘接在晶体的长方形端部的激光入射处,所述的检偏器粘接在晶体的长方形端部的激光出射处,所述的晶体的梯形端部的顶角α与电场传感器的光学偏置点<img file="FDA0000508195400000011.GIF" wi="58" he="56" />满足以下关系:<img file="FDA0000508195400000012.GIF" wi="1415" he="151" />其中<img file="FDA0000508195400000013.GIF" wi="169" he="69" />n为晶体的折射率。
地址 100084 北京市海淀区清华园1号
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