一种偏振出光发光二极管

摘要

本发明公开了一种偏振出光发光二极管，具体涉及一种复合光栅结构的偏振装置。它的LED芯片包括由衬底、n型GaN层、p型GaN层、量子阱、过渡层、空气隙和表面金属光栅结构组成。本发明在过渡层和表面金属光栅结构之间加入空气隙，构成复合光栅结构，空气隙的厚度为60～350nm。与传统的亚波长金属光栅实现偏振相比，在过渡层和金属光栅结构中间加入空气隙，可以实现更优良的偏振特性。

主权项

一种偏振出光发光二极管，其包括：n型GaN层(2)生长于衬底(1)之上，量子阱(3)生长于n型GaN层之上，p型GaN层(4)生长于量子阱之上，过渡层(5)生长于p型GaN层之上，其特征在于：在发光二极管的出光端面上设置一个复合光栅结构，所述的复合光栅结构为在过渡层(5)和表面金属光栅结构(7)之间加入空气隙(6)，空气隙的厚度为60～350nm，过渡层(5)的厚度为50～250nm，表面金属光栅的周期为60～400nm, 占空比为0.2～0.9，深度为60～400nm。