| 发明名称 | 多层陶瓷电子元件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种多层陶瓷电子元件及其制备方法，该多层陶瓷电子元件包括：具有内部电极形成其中的陶瓷主体；形成在所述陶瓷主体的外表面并连接到所述内部电极的外部电极；和在所述陶瓷主体的内部方向上，在陶瓷主体的外表面中，形成在所述内部电极和所述外部电极之间的接触面上的缓冲层，其中，当用T表示所述外部电极的厚度，用t表示所述缓冲层的厚度，用T<sub>A</sub>表示活性区域的厚度，以及用T<sub>C</sub>表示所述陶瓷主体的厚度时，T≤10μm，T<sub>A</sub>/T<sub>C</sub>>0.8，以及t≤5μm，以致可以实现具有优异可靠性的多层陶瓷电子元件。 | ||
| 申请公布号 | CN103996537A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201310228286.4 | 申请日期 | 2013.06.08 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 全炳俊;李圭夏;具贤熙;金昶勋;朴明俊 |
| 分类号 | H01G4/30(2006.01)I;H01G4/002(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 王崇;刘国平 |
| 主权项 | 一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：具有内部电极形成其中的陶瓷主体；形成在所述陶瓷主体的外表面并连接到所述内部电极的外部电极；和在陶瓷主体的外表面中，在所述陶瓷主体的内部方向上，形成在所述内部电极和所述外部电极之间的接触面上的缓冲层，其中，当用T表示所述外部电极的厚度，用t表示所述缓冲层的厚度，用T<sub>A</sub>表示活性区域的厚度，以及用T<sub>C</sub>表示所述陶瓷主体的厚度时，T≤10μm，T<sub>A</sub>/T<sub>C</sub>>0.8，以及t≤5μm。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||