闪存的可程序方法

摘要

一程序化一NAND闪存的方法，包含一预先提升阶段安排用来提高一被选取内存晶胞的信道电压与一在预先提升阶段后导入的提升阶段，其中所述预先提升阶段至少包含将一位线施加偏压至一第一电压，将一串选择晶体管加偏压至一第二电压，以及将所述串选择晶体管的偏压降至第一电压。特别地说，第二电压高于第一电压。

主权项

一程序化一NAND闪存的方法，所述方法包含：一预先提升阶段安排在一提升阶段前，其中所述预先提升阶段包含：将一位线施加偏压至一第一电压；将一串选择晶体管加偏压至一第二电压；及将所述串选择晶体管的偏压降至第一电压。