发明名称 |
一种高电流LED灯珠 |
摘要 |
本实用新型提供一种高电流LED灯珠,包括支架体,所述的支架体上设有LED芯片、正负极金属连接层、胿胶填充层,其特征在于:所述LED芯片的底部由正极片、缺口一、负极片构成,以缺口一为中间,一边为正极片、另一边为负极片,所述的正负极金属连接层的芯片连接面是一种以正中间为缺口二分界的正负极金属连接层,所述的LED芯片底部正极片和负极片直接与对应的正负极金属连接层的缺口二及正负极连接,所述的缺口一宽度为150μm。省略了金线的焊接连接,同时加大芯片电极和和正负极金属连接层,降低成本与生产工序,实现高电流的灯珠,有效提高了其性能及使用质量,其体积小,适用范围广。 |
申请公布号 |
CN203787470U |
申请公布日期 |
2014.08.20 |
申请号 |
CN201420180054.6 |
申请日期 |
2014.04.14 |
申请人 |
东莞市亿晶源光电科技有限公司 |
发明人 |
邢沈立;朱亚明;卢军 |
分类号 |
H01L33/62(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/62(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种高电流LED灯珠,包括支架体(1),所述的支架体(1)上设有LED芯片(2)、正负极金属连接层(3)、胿胶填充层(4),LED芯片(2)与正负极金属连接层(3)连接,胿胶填充层(4)设在LED芯片(2)上部,其特征在于:所述的LED芯片(2)底部由正极片(21)、缺口一(22)、负极片(23)构成,以缺口一(22)为中间,一边为正极片(21)、另一边为负极片(23),所述的正负极金属连接层(3)的芯片连接面(31)是一种以正中间为缺口二(311)分界的正负极金属连接层,所述LED芯片底部的正极片(2)和负极片(23)直接与对应的正负极金属连接层(3)的缺口二(311)及正负极连接,所述的缺口一(22)宽度为150μm。 |
地址 |
520000 广东省东莞市风岗镇官井头村祥龙工业区A2厂房第三楼 |