发明名称 |
一种薄膜晶体管基板及其制作方法和液晶显示器 |
摘要 |
本发明适用于显示技术领域,提供了一种薄膜晶体管基板的制作方法:在基板表面上依次形成第一金属层、第一化学气相沉积膜层、第二金属层、以及第二化学气相沉积膜层;在第二化学气相沉积膜层上形成光阻;用光罩对所述光阻进行曝光和显影,光罩对应的位置为共享电容区域;对第二化学气相沉积膜层上的光阻被去除的过孔区域进行过孔蚀刻;对光阻进行灰化,去除所述共享电容区域的光阻;蚀刻共享电容区域的氮化硅层;形成一像素电极层。本发明让共享电容的两个金属电极间夹着的介质仅为氮化硅层,让共享电容的大小在金属电极极性变化时保持不变,可以改善画质,还可以节省液晶电视的背光电能损耗。 |
申请公布号 |
CN103996657A |
申请公布日期 |
2014.08.20 |
申请号 |
CN201410201456.4 |
申请日期 |
2014.05.13 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
李金磊 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 |
代理人 |
刁文魁;唐秀萍 |
主权项 |
一种薄膜晶体管基板的制作方法,其特征在于,所述薄膜晶体管基板的制作方法包括以下步骤:提供一基板,在所述基板表面上依次形成第一金属层、第一化学气相沉积膜层、第二金属层、以及第二化学气相沉积膜层;其中,所述第一金属层包括共享电容的下电极,所述第一化学气相沉积膜层及所述第二化学气相沉积膜层均分别包括氮化硅层;在所述第二化学气相沉积膜层上形成光阻;用光罩对所述光阻进行曝光和显影,所述光罩对应的位置为共享电容区域;对所述第二化学气相沉积膜层上的光阻被去除的过孔区域进行过孔蚀刻;对所述光阻进行灰化,去除所述共享电容区域的光阻;蚀刻所述共享电容区域的氮化硅层;形成一像素电极层,其中所述像素电极层包括共享电容的上电极。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 |