| 发明名称 | 高迁移率功率金属氧化物半导体场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 高迁移率的P-沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管。根据本发明的一种实施例，功率MOSFET被制作成使空穴在沿着(110)晶面或其等价面的反转/累积沟道中流动，当相对于源极施加负电压到栅极时，电流沿[110]方向或其等价方向。增强的空穴沟道迁移率导致导通电阻的沟道部分减小，因此，有利地减少了装置的全“导通”电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN101336483B | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN200680052188.8 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 维西埃-硅化物公司 | 发明人 | 德瓦·帕塔纳亚克;K-I·陈;T-T·朝 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 一种竖直沟槽MOSFET，包括：沿着(110)平面的沟道，其中空穴电流被限制在(110)平面的沟道中流动，且沿选自[111]、[112]、[001]及其等价方向的方向流动，以及在(110)平面形成的并且在芯片上旋转45°形成的沟槽。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||