发明名称 一种化合物半导体元件
摘要 本实用新型公开了一种化合物半导体元件,其包括具有第一掺杂区与第二掺杂区的基板,以及对应设置于基板上的半导体层,其中第一掺杂区与第二掺杂区分别有不同的掺杂情形。
申请公布号 CN203787451U 申请公布日期 2014.08.20
申请号 CN201320511313.4 申请日期 2013.08.21
申请人 璨圆光电股份有限公司 发明人 敦俊儒;林诣超;江振福;郭政煌
分类号 H01L33/32(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I 主分类号 H01L33/32(2010.01)I
代理机构 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人 杨林洁
主权项 一种化合物半导体元件,其特征在于,所述化合物半导体元件包括:基板,其具有第一掺杂区以及第二掺杂区;以及半导体层,设置于所述基板上;其中,所述第一掺杂区与所述第二掺杂区分别有不同掺杂情形。
地址 中国台湾桃园县龙潭乡龙潭科技园区龙园一路99号