| 发明名称 | 生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜，包括Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>衬底及其(0001)面往(10-10)面偏0.2°方向依次外延生长的AlN形核层和GaN薄膜。本发明还涉及该GaN薄膜的制备方法，包括如下步骤：a.将Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>衬底进行清洁、退火处理；b.在经过a步骤处理的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>衬底上再外延生长一层AlN形核层；c.在经过b步骤生长出的AlN形核层上外延生长一层GaN薄膜。本发明还涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜用于制备LED、光电探测器和太阳能电池。本发明的GaN薄膜成本低、质量优、均匀性高，应用广泛。 | ||
| 申请公布号 | CN103996614A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201410240857.0 | 申请日期 | 2014.05.30 |
| 申请人 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 发明人 | 李国强 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0248(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人 | 汤喜友 |
| 主权项 | 一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜，其特征在于：包括Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>衬底及其(0001)面往(10‑10)面偏0.2°方向依次外延生长的AlN形核层和GaN薄膜；所述AlN形核层的厚度为5‑10nm；所述GaN薄膜的厚度为100‑200nm。 | ||
| 地址 | 510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房 | ||