| 发明名称 | 积层构造体、铁电门薄膜晶体管及铁电薄膜电容器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种铁电门薄膜晶体管，其为具备通道层(28)、门电极层(22)与门绝缘层(25)的铁电门薄膜晶体管(20)，门电极层(22)对通道层(28)的导通状态进行控制，门绝缘层(25)由配置于通道层(28)与门电极层(22)之间的铁电层所构成，门绝缘层(铁电层)(25)具有PZT层(23)与BLT层(Pb扩散防止层)(24)被积层的构造，通道层(氧化物导体层)(28)配置于门绝缘层(铁电层)(25)中的BLT层(Pb扩散防止层)(24)侧的面。根据本发明的铁电门薄膜晶体管(20)，以铁电门薄膜晶体管的转移特性容易劣化(例如内存窗口的宽度容易变窄)的问题为首，能够解决起因于Pb原子从PZT层扩散到氧化物导体层而有可能发生的各种问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103999208A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201280056578.8 | 申请日期 | 2012.10.23 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 发明人 | 下田达也;宫迫毅明;德光永辅;裴元国呈 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01)I;C01G29/00(2006.01)I;C01G35/00(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L41/09(2006.01)I;H01L41/18(2006.01)I;H01L41/22(2013.01)I;H01L41/39(2013.01)I | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 周善来;李雪春 |
| 主权项 | 一种积层构造体，其特征为，具备：具有PZT层与由BLT层或LaTaOx层、LaZrOx层或SrTaOx层所构成的Pb扩散防止层被积层的构造的铁电层；及配置于所述铁电层中的所述Pb扩散防止层侧的面的氧化物导体层。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||