发明名称 |
改善外延层电阻率均匀性的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种改善外延层电阻率均匀性的方法,通过根据测试样品生长的外延层的电阻率的分布情况,选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖,即在所述腔体内生长一层含有所述掺杂剂的薄膜,之后对衬底进行外延工艺。在进行外延工艺过程中,进行过预覆盖的腔体的内部的腔体的侧壁和基座上的所覆盖的掺杂剂会受高温影响扩散出来,从而改变衬底边缘的掺杂气体浓度,掺杂气体进入外延层中,改变了所述外延层边缘的电阻率分布,降低了自掺杂现象对外延层电阻率均匀性的影响,提高了产品良率。 |
申请公布号 |
CN103996608A |
申请公布日期 |
2014.08.20 |
申请号 |
CN201410250516.1 |
申请日期 |
2014.06.06 |
申请人 |
上海先进半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
史超;王海红;曹荣 |
分类号 |
H01L21/20(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种改善外延层电阻率均匀性的方法,其特征在于,包括:提供进行外延工艺的腔体、测试样品及衬底;对所述测试样品进行外延工艺,在所述测试样品上生长一外延层;对测试样品的所述外延层进行电阻率的测试;对经过外延工艺的腔体的内部进行刻蚀;根据所述外延层的电阻率的分布情况,选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖;将所述衬底放入预覆盖处理过的腔体中,进行外延工艺。 |
地址 |
200233 上海市徐汇区虹漕路385号 |