具有环形反射层的发光器件

摘要

本发明公开了一种具有环形反射层的发光器件，其具有衬底，所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极；所述衬底的下表面形成有透明金属欧姆接触层，所述透明金属欧姆接触层下方形成有n型电极，该n型电极通过所述透明金属欧姆接触层而与所述衬底实现电连接；所述GaN缓冲层的表面被粗化处理后形成第一表面粗化层；所述具有环形反射层的发光器件的上表面、下表面以及所有侧面都形成第二表面粗化层；所述p型GaN层的上表面形成有反射层，该反射层为四方环状结构。

主权项

一种具有环形反射层的发光器件，其特征在于：所述发光器件具有衬底，所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极；所述衬底的下表面形成有透明金属欧姆接触层，所述透明金属欧姆接触层下方形成有n型电极，该n型电极通过所述透明金属欧姆接触层而与所述衬底实现电连接；其中，所述GaN缓冲层的表面被粗化处理后形成第一表面粗化层；所述具有环形反射层的发光器件的上表面、下表面以及所有侧面都形成第二表面粗化层；所述反射层设置在所述p型GaN层的上表面，并且位于所述p型GaN层中，该反射层为四方环状结构，且所述反射层的外环与所述发光器件的侧边重合；所述多量子阱发光层发出的光的一部分由所述发光器件的正面透出，所述多量子阱发光层发出的光的另一部分经由所述反射层的反射后由所述发光器件的侧面透出。