发明名称 一种应用形状记忆合金赋予薄膜大弹性应变的方法
摘要 本发明涉及一种应用形状记忆合金赋予薄膜大弹性应变的方法。该方法包括以下步骤:在形状记忆合金衬底的表面进行沉积得到薄膜,然后进行拉伸,实现薄膜的拉应变;或者,在经过预拉伸处理的形状记忆合金衬底的表面在室温条件下进行沉积得到薄膜,然后加热并保温一定时间,使所述经过预拉伸处理的形状记忆合金衬底发生相变收缩,实现薄膜的压应变。与现有技术相比,本发明具有以下技术效果:本发明首次应用形状记忆合金来实现薄膜的大弹性应变,进而调控薄膜的光学禁带宽度等来提高材料的催化活性,方法简单、效果明显;本发明提供的方法在利用TiNi衬底带动陶瓷薄膜实现大变形的同时不会发生断裂。
申请公布号 CN103046018B 申请公布日期 2014.08.20
申请号 CN201310001136.X 申请日期 2013.01.04
申请人 中国石油大学(北京) 发明人 崔立山;张利强;邵阳;姜大强;杨峰;杜敏疏;郭云鹏;郭方敏
分类号 C23C14/58(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I 主分类号 C23C14/58(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 姚亮
主权项 一种应用形状记忆合金赋予薄膜大弹性应变的方法,其包括以下步骤:在形状记忆合金衬底的表面使用脉冲激光沉积法进行沉积得到薄膜,然后对形状记忆合金衬底进行拉伸,通过衬底的拉伸变形带动薄膜拉应变的实现;或者,在经过预拉伸处理的形状记忆合金衬底的表面采用脉冲激光法进行沉积得到薄膜,然后加热并保温一定时间,使所述经过预拉伸处理的形状记忆合金衬底发生相变收缩,通过衬底的收缩变形带动薄膜压应变的实现;所述薄膜为ZnO、TiO<sub>2</sub>、CuO、Cu<sub>2</sub>O或Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>薄膜。
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