一种柔性聚吡咯有机薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明属薄膜有机薄膜晶体管技术领域，特指一种柔性聚吡咯有机薄膜作为半导体沟道层构成的薄膜晶体管及其制备方法。本发明解决其关键问题所采用的技术方案是在柔性塑料衬底上，根据选择顶栅结构或底栅结构，从下至上依次制备有机薄膜沟道层、源电极、漏电极、栅介质层、栅电极或栅电极、栅介质层、有机薄膜沟道层、源电极、漏电极。通过该方法制作的有机薄膜晶体管具有响应速度快、低功耗等特点；另外本制作方法具有操作简便，适于大面积连续生产的优点。

主权项

一种柔性聚吡咯有机薄膜晶体管，包括：源电极、漏电极、栅电极、栅介质层、沟道层，其特征在于：所述沟道层为有机薄膜沟道层，有机薄膜沟道层采用的材料为聚吡咯有机薄膜，当采用顶栅结构时，有机薄膜沟道层位于衬底上方，源电极和漏电极分别位于有机薄膜沟道层上方两侧，栅介质层位于有机薄膜沟道层上方中间，栅电极位于栅介质层上方。