| 发明名称 | 气体阻隔膜 | ||
| 摘要 | 一种气体阻隔膜(10)，其具备实施真空紫外光照射处理并层叠于基材(1)上的气体阻隔层(2)和保护层(3)，其中，形成为满足如下的规定：气体阻隔层(2)在其至少一部分中具有SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>的组成，满足0.1≤x/(x+y)≤0.9的条件，同时保护层(3)的膜密度相对于气体阻隔层(2)的膜密度之比为0.2以上且0.75以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103998230A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201280061539.7 | 申请日期 | 2012.12.10 |
| 申请人 | 柯尼卡美能达株式会社 | 发明人 | 西尾昌二 |
| 分类号 | B32B9/00(2006.01)I;B32B27/00(2006.01)I;B32B27/16(2006.01)I | 主分类号 | B32B9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 贾成功 |
| 主权项 | 一种气体阻隔膜，其特征在于，其为在基材上具备至少1层气体阻隔层、和与所述气体阻隔层邻接的保护层的气体阻隔膜，所述保护层含有有机硅，所述气体阻隔层在其至少一部分中具有SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>的组成，满足0.1≤x/(x+y)≤0.9的条件，所述保护层被实施了照射波长为300nm以下的紫外光的改性处理，所述保护层的膜密度相对于所述气体阻隔层的膜密度之比为0.2以上且0.75以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||