一种制作VDMOS的方法

摘要

本发明实施例提供了一种制作VDMOS的方法，包括提供一N型衬底，在衬底的第一表面上形成N型外延层；在N型外延层上生长场氧，形成场氧化层；在场氧化层上刻蚀出有源区，注入N型离子并驱入；在场氧化层上刻蚀出至少一个环区，在每个环区注入P型离子；在有源区和环区上生长栅氧，形成栅氧化层；在N型外延层的上表面的下方形成阈值注入层；在栅氧化层上沉积多晶硅，形成多晶硅层，作为VDMOS的栅极；在有源区且在多晶硅层的两侧注入P型离子并驱入；在驱入P型离子的区域上形成VDMOS的源极；对衬底的第二表面进行减薄，并在减薄后的第二表面上生长金属层，形成VDMOS的漏极。使用前述方法可以随时调节电压，使用起来较为方便。

主权项

一种制作垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管VDMOS的方法，其特征在于，包括：提供一N型衬底，在所述衬底的第一表面上形成N型外延层；在所述N型外延层上生长场氧，形成场氧化层；在所述场氧化层上刻蚀出有源区，并在所述有源区注入N型离子并驱入；在所述场氧化层上刻蚀出至少一个环区，并在每个环区注入P型离子；分别在所述有源区和所述环区上生长栅氧，形成栅氧化层；在所述N型外延层的上表面的下方形成阈值注入层；在所述栅氧化层上沉积多晶硅，形成多晶硅层，将其作为VDMOS的栅极；在所述有源区且在所述多晶硅层的两侧注入P型离子并驱入；在驱入P型离子的区域上形成VDMOS的源极；对所述衬底的第二表面进行减薄，并在减薄后的第二表面上生长金属层，形成VDMOS的漏极。