抗电势诱发衰减的晶体硅电池

摘要

本实用新型公开了一种抗电势诱发衰减的晶体硅电池，包括依次覆盖于硅衬底上的非晶硅层、起钝化作用的富Si氮化硅层和起减反射作用的富N氮化硅层。本实用新型主要对电池的减反射层结构进行改进，在传统的单层或多层氮化硅与晶硅衬底之间采用PECVD的方法淀积一层致密的非晶硅，这层致密的非晶硅可以阻挡正离子对PN结的侵蚀，从而减小PID效应的影响。本实用新型仅需在现有设备上对工艺做简单改动即可实现，与现有工艺兼容，方法简单，成本低廉。

主权项

一种抗电势诱发衰减的晶体硅电池，其特征在于：包括依次覆盖于硅衬底（1）上的非晶硅层（2）、起钝化作用的富Si氮化硅层（3）和起减反射作用的富N氮化硅层（4）。