在连续柴可斯基（ＣＺＯＣＨＲＡＬＳＫＩ）方法中用于改良晶体成长之堰;WEIR FOR IMPROVED CRYSTAL GROWTH IN A CONTINUOUS CZOCHRALSKI PROCESS

摘要

用于藉助柴可斯基(Czochralski)方法成长锭之装置包含界定外壳之成长室，其经组态以使吹扫气体围绕该成长锭循环；及于该成长室中提供之坩埚，其经组态以容纳熔融矽。堰支撑于该坩埚中且经组态以将该熔融矽分成围绕熔体/晶体界面之内部成长区域与经组态以接收结晶原料之外部区域。该堰包括至少一个垂直延伸之侧壁及实质上垂直于该侧壁延伸之盖。