| 发明名称 |
β－Ｇａ２Ｏ３系单晶的培育方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种β-Ga2O3系单晶的培育方法，该培育方法可得到高结晶品质的板状的β-Ga2O3系单晶。在一实施形态中，提供一种β-Ga2O3系单晶的培育方法，是使用导模法之β-Ga2O3系单晶的培育方法，该培育方法包含：使板状的晶种20与Ga2O3系熔融液12接触之步骤、及提拉晶种20使β-Ga2O3系单晶25成长之步骤，其中，板状的晶种20是由全部区域的缺陷密度为5×10 5 /cm 2 以下之β-Ga2O3系单晶所构成。 |
| 申请公布号 |
TW201432099 |
申请公布日期 |
2014.08.16 |
| 申请号 |
TW102140518 |
申请日期 |
2013.11.07 |
| 申请人 |
田村制作所股份有限公司 |
发明人 |
渡边信也;脇本大树;饭塚和幸;舆公祥;增井建和 |
| 分类号 |
C30B15/00(2006.01);C30B29/16(2006.01);C30B29/64(2006.01);C01G15/00(2006.01) |
主分类号 |
C30B15/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>蔡坤财</name><name>李世章</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
TAMURA CORPORATION 日本 |
