用于低漏电流与低等效氧化层厚度ＢｉＴａＯ薄膜之ＡＬＤ制程;ALD PROCESSES FOR LOW LEAKAGE CURRENT AND LOW EQUIVALENT OXIDE THICKNESS BITAO FILMS

摘要

本发明描述一种高介电常数(k≧40)、低漏电流(在0.6奈米或更低的等效氧化层厚度时，漏电流≦10 -6 A/cm 2 )的非晶型金属氧化物，该非晶型金属氧化物包括一种由选自以下群组中之两种或更多种相容金属所形成的氧化物，该群组为：铋、钽、铌、钡、锶、钙、镁、钛、锆、铪、锡及镧系金属。所形成的此类型金属氧化物可随着此等氧化物之厚度而改变金属成分的相对比例，藉以增进该等氧化物的安定性。藉由本发明所揭示的原子层沉积制程该金属氧化物可轻易地制成该金属氧化物，藉以提供DRAM及其他微电子元件中经常采用的金属氧化物介电材料。