| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法、电源供应装置与高频放大器;SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, POWER SUPPLY DEVICE, AND HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER |
| 摘要 |
一种半导体装置包括:一包括数个堆叠于一半导体基体之上之化合物半导体层的化合物半导体堆叠结构;及一覆盖该化合物半导体堆叠结构之上的第一绝缘薄膜,该第一绝缘薄膜是为一在上侧包括一含有过量之化学计量比之氮元件之第一区域的氮化矽薄膜。 |
| 申请公布号 |
TW201432906 |
申请公布日期 |
2014.08.16 |
| 申请号 |
TW102145918 |
申请日期 |
2013.12.12 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
牧山刚三 |
| 分类号 |
H01L29/778(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>恽轶群</name><name>陈文郎</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
FUJITSU LIMITED 日本 |
