发明名称 半导体装置及半导体装置之制造方法
摘要 本发明提供一种于积层复数片半导体晶片之半导体装置中,可抑制半导体晶片翘曲之半导体装置及半导体装置之制造方法。本实施形态之半导体装置100系将第1半导体晶片21与板厚较第1半导体晶片更厚之第2半导体晶片22交替地积层复数片而成。
申请公布号 TW201432878 申请公布日期 2014.08.16
申请号 TW102132237 申请日期 2013.09.06
申请人 东芝股份有限公司 发明人 永井敦
分类号 H01L25/04(2014.01);H01L21/58(2006.01) 主分类号 H01L25/04(2014.01)
代理机构 代理人 <name>陈长文</name>
主权项
地址 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本