| 摘要 |
利用依序层叠表面侧半导体层、绝缘层及背面侧半导体层的SOI基板来量产管理半导体层的厚度之纵型的半导体装置。对于SOI基板的表面施以自表面实施的处理,从SOI基板的背面蚀刻来除去背面侧半导体层及绝缘层而使表面侧半导体层的背面露出,对于露出的表面侧半导体层的背面施以自背面实施的处理。SOI基板的表面侧半导体层的厚度可正确地管理,量产具有与该表面侧半导体层同厚度的半导体层之半导体装置。不是形成作为半导体装置机能的半导体构造的活性领域之领域是不必除去背面侧半导体层及绝缘层。可量产一种在活性领域是绝缘层及背面侧半导体层会被除去,在周边耐压领域是绝缘层及背面侧半导体层会残存之纵型的半导体装置。可良品率佳地量产高性能的半导体装置。 |
