藉由碳障壁之导入降低微机电系统静摩擦力;REDUCING MEMS STICTION BY INTRODUCTION OF A CARBON BARRIER

摘要

本发明提供用于藉由减少在制作期间可累积于多晶矽表面上之基于TEOS之氧化矽膜之碳之一量而降低一MEMS装置中之静摩擦力之一机制。一碳障壁材料膜(510、520)沈积于一MEMS装置中之一或多个多晶矽层(210、230)与基于TEOS之氧化矽层(220)之间。此障壁材料阻挡碳扩散至该多晶矽中,藉此降低该等多晶矽表面上之碳累积。藉由降低该碳累积,同样地降低由于该碳之存在所致之静摩擦力之机会。