发明名称 介电质材料形成平台侧壁的半导体制造方法及其半导体元件;METHOD FOR FABRICATING MESA SIDEWALL WITH SPIN COATED DIELECTRIC MATERIAL AND SEMICONDUCTOR ELEMENT THEREOF
摘要 本发明关于一种介电质材料形成平台侧壁的半导体制造方法及用此方法制造之半导体元件。此方法包括下列步骤:在一半导体基板上,配置一垂直元件;进行一旋转涂抹制程,用以披覆一液态涂布式介电质材料;进行一烘乾制程,使该液态涂布式介电质材料成为一乾燥介电质材料;进行一第一乾蚀刻制程,用以去除该乾燥介电质材料之一部分,使该垂直元件的不受离子轰子影响之结构露出;进行一沈积制程,用以对该垂直元件的不受离子轰子影响之结构进行绝缘披覆;以及进行一第二乾蚀刻制程,以构成一具有平台侧壁的半导体元件。
申请公布号 TW201432815 申请公布日期 2014.08.16
申请号 TW102104500 申请日期 2013.02.06
申请人 国立中央大学 发明人 綦振瀛;王圣瑜;陈俊明
分类号 H01L21/31(2006.01);H01L29/778(2006.01) 主分类号 H01L21/31(2006.01)
代理机构 代理人 <name>叶信金</name>
主权项
地址 NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY 桃园县中坜市中大路300号