发明名称 离子植入装置及使用其的方法;ION IMPLANT APPARATUS AND METHOD OF USING THE SAME
摘要 提供一种离子植入装置,所述离子植入装置经配置以测量所述装置中的元件的温度或监控所述元件的降级。所述离子植入装置可包含:压板,经配置以在第一方向上移动;罩幕框架,用于固持设置在所述压板上的至少一个罩幕;第一光学感测器,经配置以将光束投射到第二光学感测器;以及设置在所述罩幕框架上的测量杆,所述测量杆在所述罩幕框架的表面上方凸起,以在所述压板在所述第一方向上移动时中断所述光束。
申请公布号 TW201432796 申请公布日期 2014.08.16
申请号 TW102146201 申请日期 2013.12.13
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 葛兰特 克里斯多夫N;宝佩特 罗伯特B
分类号 H01L21/265(2006.01) 主分类号 H01L21/265(2006.01)
代理机构 代理人 <name>詹铭文</name>
主权项
地址 VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. 美国