发明名称 非晶态金属薄膜非线性电阻器;AMORPHOUS METAL THIN-FILM NON-LINEAR RESISTOR
摘要 本发明提供一种非晶态金属薄膜非线性电阻器(AMNR)。该AMNR为具有对称非线性电流-电压(I-V)特性之一电子装置,该电子装置之一例示性组态可包括三个依次沈积层,其等包含:一低非晶态金属薄膜(AMTF)互连件;一薄膜绝缘体,其定位于该AMTF互连件之顶部上;及两个上导电接点,其等定位于该绝缘体之顶部上且安置于相同实体平面中。
申请公布号 TW201432735 申请公布日期 2014.08.16
申请号 TW102141107 申请日期 2013.11.12
申请人 美国俄勒冈州立大学 发明人 科威尔 E 威廉 三世
分类号 H01C7/00(2006.01) 主分类号 H01C7/00(2006.01)
代理机构 代理人 <name>陈长文</name>
主权项
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