ITO薄膜溅镀加工方法及ITO薄膜溅镀设备

摘要

本发明提供的ITO薄膜溅镀加工方法和ITO薄膜溅镀设备，其包括以下步骤：S1，在向反应腔体内通入加工气体之前，开启直流溅镀电源以向靶材施加溅镀功率，并将直流溅镀电源的输出电压设定为一预定电压值；S2，在经过一预定时间之后，再向反应腔体内通入加工气体，以完成启辉； S3，通过直流溅镀电源向靶材施加溅镀功率，以进行溅镀加工。本发明提供的ITO薄膜溅镀加工方法，其能够在溅镀沉积ITO薄膜过程中减小瞬间启辉电压，从而避免在启辉瞬间因粒子能量过高而造成对GaN层的轰击力度过大，进而有效减少对GaN层的损伤。