发明名称 |
在封装增层中之电感式惯性感测器架构及制造技术;INDUCTIVE INERTIAL SENSOR ARCHITECTURE & FABRICATION IN PACKAGING BUILD-UP LAYERS |
摘要 |
本发明系关于使用一磁性驱动及/或感测架构的电感式惯性感测器。在实施例中,平移回转仪利用一导电线圈,该导电线圈被制作成在存在一磁场的情况下依据经驱动通过该线圈的一时变电流在一第一维度上振动。感测线圈记录依据一第二维度上之一角速度而变化的一电感。在实施例中,该振动线圈使得该等感测线圈中之第一及第二互感依据该角速度而彼此偏离。在实施例中,与一对蜿蜒线圈相关联的自感依据一第二维度上的一角速度而变化。在实施例中,将封装增层用以制造该等电感式惯性感测器,从而允许实现在诸如行动装置的小形状因数计算平台中有利的封装层级整合式惯性感测。 |
申请公布号 |
TW201432266 |
申请公布日期 |
2014.08.16 |
申请号 |
TW102142051 |
申请日期 |
2013.11.19 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
马庆;艾德 菲拉斯;林 凯文;史旺 乔安娜M;郑荣宏;拉欧 维鲁利R |
分类号 |
G01P15/11(2006.01);H01L27/22(2006.01) |
主分类号 |
G01P15/11(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>恽轶群</name><name>陈文郎</name> |
主权项 |
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地址 |
INTEL CORPORATION 美国 |