发明名称 通孔之电镀铜方法;THROUGH-HOLE FILLING BY COPPER ELECTROPLATING
摘要 一种通孔之电镀铜方法,本发明达成上述目的的技术手段,包含:步骤一,将一微通孔基板含浸于一具有含硫有机物的前处理液中,以超音波震荡1分钟;步骤二,将该微通孔基板含浸于该前处理液中静置10分钟,使含硫有机物之有机单分子于该微通孔基板的表面以及其通孔之孔壁形成一自组装分子薄膜(Self-Assembly Monolayer,SAM);步骤三,将该微通孔基板自该前处理液中取出,清洗;步骤四,将该微通孔基板于一铜电镀液中进行金属铜通孔填充;所述之铜电镀液中包括含铜化合物、卤素离子、以及至少一种平整剂;步骤五,电镀完成后取出该微通孔基板,并以超纯水清洗并将表面吹乾。
申请公布号 TW201432096 申请公布日期 2014.08.16
申请号 TW102104954 申请日期 2013.02.07
申请人 国立中兴大学 发明人 窦维平;严之君
分类号 C25D5/00(2006.01);C25D3/38(2006.01);C25D7/04(2006.01);C25D7/12(2006.01) 主分类号 C25D5/00(2006.01)
代理机构 代理人 <name>蔡坤旺</name>
主权项
地址 NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY 台中市南区国光路250号