发明名称 |
程式化具有错误修正码之一非挥发性记忆体系统;PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY (NVM) SYSTEM HAVING ERROR CORRECTION CODE (ECC) |
摘要 |
本发明揭示一种程式化一非挥发性半导体记忆体装置之方法(50),该方法包含:判定在一程式化操作期间未能通过程式化验证之位元胞之一数目(60)。该等位元胞包含于一位元胞阵列中之一位元胞子组中。该方法进一步判定是否先前已对该位元胞子组执行一错误修正码(ECC)修正(74)。若在预定数目个程式化脉冲之后未能通过程式化验证之位元胞之该数目低于一临限値数目且尚未对该位元胞子组执行该ECC修正,则可认为该程式化操作系成功的(78)。 |
申请公布号 |
TW201432705 |
申请公布日期 |
2014.08.16 |
申请号 |
TW102140339 |
申请日期 |
2013.11.06 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
谬富臣;何晨 |
分类号 |
G11C29/42(2006.01);H03M13/05(2006.01) |
主分类号 |
G11C29/42(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>陈长文</name> |
主权项 |
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地址 |
FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 美国 |